ลักษณะผลิตภัณฑ์
คุณสมบัติต้านทานความแม่นยำ
ultra - ฟิล์มบาง: 0.1 ~ 5μm (tan/nicr), ความต้านทานแผ่น25-300Ω/sq
การตัดแต่งเลเซอร์: ± 0.5% (std), ± 0.1% (สูง - ความแม่นยำ)
TCR: ± 50ppm/ องศา (NICR), ± 100ppm/ องศา (แทน)
01
สูง - ข้อได้เปรียบความถี่
ใกล้ - zero parasitics: inductance<0.05nH, Capacitance <0.01pF (@10GHz)
การเชื่อมต่อระหว่างกันอย่างไร้รอยต่อ: ความไม่ต่อเนื่องของอิมพีแดนซ์<3%
การลดการสูญเสีย: 0.3dB/นิ้วต่ำกว่า SMD @40GHz
02
สถาปัตยกรรมการรวม 3 มิติ
การฝังเลเยอร์ - ใด ๆ : ตัวต้านทานในเลเยอร์อิเล็กทริก L2 ถึง LN-1
micro - ผ่านการเชื่อมต่อ: 25μmเลเซอร์ vias ไปยังการยุติตัวต้านทาน
โทโพโลยีเสรีภาพ: เค้าโครงตัวต้านทานโค้ง (เช่นการจับคู่เสาอากาศ)
03
ความน่าเชื่อถือของสภาพแวดล้อมที่รุนแรง
ผ่านรอบความร้อน 3000x (-65 องศา ~ 150 องศาต่อ IPC-6012 Class 3)
>2000hrs ที่ 85 องศา /85% RH (ดริฟท์ต้านทาน<1%)
ความต้านทานการสั่นสะเทือน: การเร่งความเร็ว 50 กรัม (ไม่มีการแตกร้าว)
04
ฟิลด์แอปพลิเคชันผลิตภัณฑ์
ระบบ 5G/6G MMWAVE
เครือข่ายการจับคู่ AAU: การยกเลิก50Ωภายใต้ microStrip (ขาดทุน↓ 0.4dB @28GHz)
beamforming ICS: ตัวต้านทานอคติในโมดูล T/R (ขนาด↓ 60%)
สูง - ความเร็วดิจิตอล
DDR5 DIMMS: บน - การเลิกจ้างตาย (ODT) สำหรับ 6400mt/s (กระวนกระวายใจ↓ 35%)
Server VRMS: ตัวแบ่งแรงดันไฟฟ้า PMIC (เวลาตอบสนอง 10ns)
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์
77GHz เรดาร์: ตัวต้านทานการจับคู่เสาอากาศ (TCR ＜100ppm/ องศา)
BMS: ตัวต้านทานความรู้สึกปัจจุบัน (0.1% ความแม่นยำ @150 องศา)
รากฟันเทียมทางการแพทย์
เครื่องกระตุ้นหัวใจ: ตัวแบ่งแรงดันไฟฟ้าขนาดเล็ก (ขนาด ＜5mm³, อายุการใช้งาน＞ 10yrs)
Neurostimulators: เนื้อเยื่อ - เลเยอร์การจับคู่อิมพีแดนซ์
การบินและอวกาศ
ดาวเทียม AESA: การแผ่รังสี - การยุติการแข็งตัว (อัตราความล้มเหลว↓ 90%)
Rocket Avionics: Shock - เครือข่ายต้านทาน (ได้รับการรับรองการเร่งความเร็ว 50G)
เซ็นเซอร์ IoT
เซ็นเซอร์ความดัน: เต็ม - ตัวต้านทานสะพาน (3 × 3 มม., 0.1MW)
ป้ายกำกับยอดนิยม: PCB ตัวต้านทานแบบฝังตัวผู้ผลิต PCB ตัวต้านทานของจีนผู้ผลิตซัพพลายเออร์โรงงาน
